宽带低EVM直接变频发射机

电路功能与优势 本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案（模拟基带输入、RF输出）。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO)，本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波，确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。

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图1：直接变频发射机（原理示意图：未显示去耦和所有连接） 图1所示电路使用完全集成的小数N分频PLL ICADF4350和宽带发射调制器ADL5375。ADF4350向发射正交调制器ADL5375提供本振(LO)信号，后者将模拟I/Q信号上变频为RF信号。两个器件共同提供宽带基带I/Q至RF发射解决方案。ADF4350采用超低噪声3.3 VADP150调节器供电，以实现最佳LO相位噪声性能。ADL5375则采用5 VADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9 μVrms，有助于优化VCO相位噪声并降低VCO推挤（相当于电源抑制）的影响。

宽带低EVM直接变频发射机 (CN0134)

图2. 直接变频发射机评估板

需要对ADF4350 RF输出进行滤波，以衰减谐波水平，使ADL5375正交产生模块的误差最小。依据测量和仿真得知，奇次谐波对正交误差的贡献大于偶次谐波；如果将奇次谐波衰减至−30 dBc以下，则可以实现−40 dBc或更好的边带抑制性能。ADF4350数据手册给出了其二次谐波(2H)和三次谐波(3H)水平，如表1所示。为使三次谐波低于-30 dBc，大约需要衰减20 dB。 谐波成分（二次） −19 dBc 基波VCO输出 谐波成分（三次） −13 dBc 基波VCO输出 谐波成分（二次） −20 dBc 分频VCO输出 谐波成分（三次） −10 dBc 分频VCO输出

表1. ADF4350 RF输出谐波水平（未经滤波）

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