国家存储器基地开工芯片龙头受益-【新闻】
据新华社2日消息,总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后,年产值将超过100亿美元,实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
CBN点评:国家存储器基地项目建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,为行业发展起到推动作用。A股市场相关概念股紫光国芯、深科技(000021.SZ)、音飞储存(603066.SH)以及长电科技(600584.SH)等有望受益。
芯片国产化是我国在信息安全自主可控政策的实践领域之一,作为信息技术的基础产业,半导体集成电路持续受到了国家政策的扶持。而存储器是集成电路产业的基础产品之一,产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著,国家存储器基地的建立,标志着芯片国产化之路迈出可靠而重要的一步。
据介绍,此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场,DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断,尤其以韩国三星、SKHynix两家为首,共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继美国和韩国后,全球第三个掌握相变存储技术的国家。
在半导体产业上升为国家战略的大背景下,我国芯片产业链上的企业发展前景值得期待。从上市公司来看,紫光国芯是国内IC设计龙头企业,主要产品包括智能芯片、特种集成电路及存储芯片。公司技术积累雄厚,市场优势突出,是国内稀缺的IC设计、制造平台型公司。
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